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產品中心光電傳感模組InGaAs 近紅外NIR傳感器SWIR90170-512-TE近紅外線列探測器
產品簡介
SWIR90170-512-TE線列探測器主要由低噪聲讀出電路（ROIC）、P-I-N結構的InGaAs光敏芯片及一級熱電致冷器（TEC）組成，并采用陶瓷封裝形式
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探測器主要參數：
光電性能
指標名稱 | 參數 | |
響應光譜范圍(μm)*1 | 0.95±0.05~1.7±0.05 | |
像元填充率(%) | 100 | |
量子效率（%） | ≥65 | |
峰值探測率 (?????√????/????) | ≥1×1012 | |
峰值靈敏度(A/W) | ≥0.8 | |
有效像元率(%)*2 | 100 | |
響應不一致性(%) | <4 | |
讀出方式 | IWR、ITR，可選 | |
讀出速率(MHz) | ≥10 | |
最高幀頻(fps) | >20k | |
增益檔位 | 8 | |
飽和電壓(V) | 1.6 | |
轉換增益(nV/e-) | 增益檔位1：1600 增益檔位2：800 增益檔位3：4000 增益檔位4：2665 | 增益檔位5：17 增益檔位6：84 增益檔位7：32 增益檔位8：160 |
*1 焦平面溫度=25
℃*2 像元響應信號與平均值偏差小于一定范圍內的像元百分比
機械性能
指標名稱 | 典型值 |
長×寬×高(mm) | 28×15×6.2 |
重量(g) | ~9 |
焦平面規模 | 512×1 |
像元中心距(μm) | 25 |
像元尺寸(μm) | 25×250 |
感光面積(mm) | 12.8×0.25 |
使用環境和功耗參數
指標名稱 | 典型值 |
工作溫度(℃) | -10~+60 |
存儲溫度(℃) | -20~+70 |
典型功率(W)*1 | <0.1 |
* 1 未開啟 TEC ， 環境溫度=25℃ ， 時鐘頻率=1MHz ， VDDD=VDDA=3.3V ， VBOP=2.4V，VBOUT=VREF=VNDET=2.3V
機械參數
該款探測器采用陶瓷封裝形式，充常壓高純氮氣，管殼材質為氧化鋁陶瓷，蓋板及引腳采用FeNiCoSi系合金，表面電鍍Ni/Au層，窗口焊接方式為In系釬焊，封蓋形式為電阻焊接。探測器外形尺寸為28mm (L)×15mm (W)×6.2mm (H) 。外殼上有30根Φ0.45mm的針腳從背部引出，針腳的間距為1.778mm，用于焦平面電源與指令的輸入、焦平面探測信號和溫度傳感器的電學引出以及熱電致冷器的電源輸入。 機械接口外觀及尺寸如下圖所示。
光學參數
光學結構 該產品采用512×1元InGaAs焦平面，其左右兩端各有2個冗余元，即整體像元數為516×1，實際使用時推薦使用第3到514列。像元形狀為長方形，感光尺寸為25μm×250μm，結構呈“一"字型排列，像元中心距25μm，結構如下圖所示：
探測器感光面與封裝結構上表面的設計距離值為1.86±0.1mm，感光面與窗口下表面設計距離值為1.16±0.1mm，感光面與安裝面/管殼底部設計距離值為4.34±0.1mm。窗口材料為藍寶石，厚度為0.5±0.05mm，窗口折射率1.76，表面鍍有AR膜，響應波段內透過率>95%，窗口透光區域為 16mm×3mm。感光面中心位于探測器中心，相對位置偏移≤0.05mm，相對 旋轉位移≤0.02mm。
響應光譜（典型值）
更多詳細資料請看產品手冊
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